Département d'Electronique

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Identification de l'orientation cristallographique des grains d'une plaquette de silicium multicristallin par attaque chimique
(Université Mouloud Mammeri, 2011-06-15) ladjali, Kahina
L’identification de l’orientation cristallographique des grains d’une plaquette du Si-mc obtenu par solidification directionnelle élaboré à l’UDTS ; est reportée dans ce travail. Pour cela deux techniques de caractérisation ont été utilisées : le Microscope Électronique à Balayage (MEB) ; et la Diffraction de Rayons X (DRX). D’après notre étude, nous avons constaté et montré une certaine dépendance de la morphologie de a surface du grain obtenue après attaque chimique avec l’orientation cristallographique du substrat. Ainsi, nous avons essayé de développer une méthode pour l’identification de l’orientation ristallographique des grains d’une plaquette du Si-mc à l’aide d’une attaque chimique. Le principe de base de cette nouvelle méthode consiste à créer une fiche technique, qui fait correspondre chaque ignature d’un grain obtenu par analyse MEB après attaque chimique avec l’orientation déjà déterminé vec la DRX. Comme résultat, nous avons réussit à identifier les orientations cristallographique de certains grains d’une plaquette du Si-mc en donnant leurs (hkl), en se basant sur nos propres résultats pratique et par comparaison avec ceux déjà obtenu d’après la littérature.