Simulations d’une diode Schottky à base d’AlGaAs
| dc.contributor.author | Medjoudj Lamia | |
| dc.contributor.other | Hatem Djedjiga | |
| dc.date.accessioned | 2019-11-12T11:05:45Z | |
| dc.date.available | 2019-11-12T11:05:45Z | |
| dc.date.issued | 2018 | |
| dc.description | 58 f. : ill. ; 30 cm. (+ CD-Rom) | en |
| dc.description.abstract | L’objectif du présent travail est la simulation par le simulateur SILVACO ATLAS TCAD (Technology Computer Aided Design) des propriétés électriques courant-tension (I-V) et capacité-tension (C-V) d’une diode à barrière de Schottky formée à partir de matériaux III-V, l'arséniure de gallium (GaAs) et L’arséniure Aluminium de gallium type p (p-AlGaAs), en vue d’une étude de l’influence de certains paramètres géométriques et physiques. | en |
| dc.identifier.citation | Micro- Electronique | |
| dc.identifier.other | MAST.ELN.17-18 | en |
| dc.identifier.uri | https://dspace.ummto.dz/handle/ummto/6783 | |
| dc.language.iso | fr | en |
| dc.publisher | Université Mouloud Mammeri | en |
| dc.subject | Diode | en |
| dc.subject | Schottky | en |
| dc.subject | Barrière de potentiel | en |
| dc.subject | Dopage | en |
| dc.subject | Silvaco | en |
| dc.subject | Atlas | en |
| dc.subject | Simulation | en |
| dc.subject | AlGaAs | en |
| dc.subject | GaAs. | en |
| dc.title | Simulations d’une diode Schottky à base d’AlGaAs | en |
| dc.type | Thesis | en |