Etude de la fiabilité transistor MOSFT

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dc.contributor.authorMassaid Chahrazed
dc.date.accessioned2025-02-23T12:25:51Z
dc.date.available2025-02-23T12:25:51Z
dc.date.issued2023-10-04
dc.description32p .; ill .; 30cm . (CD-ROM)
dc.description.abstractCe mémoire propose étude de fiabilité transistor MOSFET, on a explore en profondeur les concepts fondamentaux de fiabilité et de défaillance dans des systèmes, en mettant particulièrement l’accent sur le taux de défiance précoce ou de jeunesse les comment le transistor MOSFET évolué avec le temps. Les différents types de transistors MOSFET et leurs caractéristiques distinctives et leurs applications spécifiques. Nous analysons leurs conditions de conduction. L’analyse approfondie de la fiabilité des transistors. L’oxyde des silicium garantir la fiabilité et la performance des transistors
dc.identifier.citationInstrumentation Biomedicale
dc.identifier.otherMAST.ELN.32-23
dc.identifier.urihttps://dspace.ummto.dz/handle/ummto/26757
dc.language.isofr
dc.publisherFGEI.UMMTO
dc.subjectTransistor
dc.subjectMOSFET
dc.subjectNBTL
dc.subjectPBTI
dc.subjectSIO_2
dc.subjectSI
dc.subjectMTBF
dc.subjectTransistor bipolaire MOSFT
dc.titleEtude de la fiabilité transistor MOSFT
dc.typeThesis

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